Re: 2 x DCG als Transistor-Kennlinienschreiber/-messgerät
Verfasst: 12.11.2014, 15:44
Hallo zusammen,
dieser Thread ist ja ziemlich gut besucht, aber die Mitgliederzahl ist noch nicht gestiegen
Es scheint also ein reges Interesse an so einem Transistor-Kennlinienschreiber zu geben. Habe jetzt nach sieben Stunden langer Fehlersuche endlich mal ein paar Tests mit dem Bipolar Test.vi machen können. Finde jedoch genau wie psclab38, das die Ströme nicht niedrig genug eingestellt werden können, weshalb ich diese Emitterschaltung mit einem Bipolar-Transistor nicht meinen Wünschen entsprechend untersuchen konnte.
Das Nächste bzw. was ich sowieso im Sinn hatte ist diese N-MOS-Schaltung, womit ich eine Konstantstromsenke konstruieren möchte, die vier weiße 1W-LEDs in Reihe mit einem Konstantstrom von maximal 350mA bestromt. D.h. die 350mA ist dann die Höchstgrenze des Stromes, was man auch als Strombegrenzungsschaltung sehen kann.
Es geht also darum den N-MOS-FET in Verbindung mit den 1W-LEDs bei einer Versorgungsspannung um 12V herum zu untersuchen, wobei noch die Gehäusetemperatur des FETs beobachtet werden soll. Dazu denke ich mir die Gatespannung ( Ug ) bis 12V zu erhöhen und dies bei verschiedenen Versorgungsspannungen ( Ud ). Dies einmal im Schnelldurchgang, um zu sehen wie sich der Strom generell verhält, sowie in gestreckter Zeit, um den Temperatureinfluß bzw. Verlauf zu untersuchen.
Das Problem der sieben stündigen Fehlersuche war - um es kurz zu machen, das beide Jumper JP4 & JP5 nur auf der " letzten " Platine zu stecken sind.
Das ist die wo PL2 ( Opto Out ) nicht belegt ist.
Werde mich nun also erstmal näher mit LabVieW beschäftigen ( müssen ).
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Es scheint also ein reges Interesse an so einem Transistor-Kennlinienschreiber zu geben. Habe jetzt nach sieben Stunden langer Fehlersuche endlich mal ein paar Tests mit dem Bipolar Test.vi machen können. Finde jedoch genau wie psclab38, das die Ströme nicht niedrig genug eingestellt werden können, weshalb ich diese Emitterschaltung mit einem Bipolar-Transistor nicht meinen Wünschen entsprechend untersuchen konnte.
Das Nächste bzw. was ich sowieso im Sinn hatte ist diese N-MOS-Schaltung, womit ich eine Konstantstromsenke konstruieren möchte, die vier weiße 1W-LEDs in Reihe mit einem Konstantstrom von maximal 350mA bestromt. D.h. die 350mA ist dann die Höchstgrenze des Stromes, was man auch als Strombegrenzungsschaltung sehen kann.
Es geht also darum den N-MOS-FET in Verbindung mit den 1W-LEDs bei einer Versorgungsspannung um 12V herum zu untersuchen, wobei noch die Gehäusetemperatur des FETs beobachtet werden soll. Dazu denke ich mir die Gatespannung ( Ug ) bis 12V zu erhöhen und dies bei verschiedenen Versorgungsspannungen ( Ud ). Dies einmal im Schnelldurchgang, um zu sehen wie sich der Strom generell verhält, sowie in gestreckter Zeit, um den Temperatureinfluß bzw. Verlauf zu untersuchen.
Das Problem der sieben stündigen Fehlersuche war - um es kurz zu machen, das beide Jumper JP4 & JP5 nur auf der " letzten " Platine zu stecken sind.
Das ist die wo PL2 ( Opto Out ) nicht belegt ist.
Werde mich nun also erstmal näher mit LabVieW beschäftigen ( müssen ).