EDL

Wenn ihr Ideen zu neuen Entwicklungen habt, dann diskutiert sie bitte hier.
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schimmi
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Beitrag von schimmi » 05.12.2007, 14:14

Hallo Siegi,
siegiathome hat geschrieben:Schaltungsvorschläge...
ich hätte jetzt einfach DA1 am R9 aufgetrennt und ein OP als Addierer vorgeschaltet, der DA1 + Vin (Über Spannungsteiler) rechnet. Paralell zum unteren Widerstand des Vin Teilers hätte ich nun noch einen MOSFET geschaltet um zwischen R und I Betrieb umzuschalten.

Grüsse,
Schimmi

st3f4n
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Hallo zusammen...

Beitrag von st3f4n » 05.12.2007, 14:43

Erstmal gibts ein großes Lob für die Initiative!
Ich hab gerade mal den Schaltplan überflogen...
Die Regelung fürs R sollte kein wirkliches Problem darstellen...
Vll komm ich die nächsten 1-2 Tage dazu mal nen Vorschlag zu posten... :oops: Aber was mir aufgefallen ist:
Die Schaltung ist leider nicht so ganz verpolsicher...
Einmal die Last invers betrieben und der Spaß hat ein stinkendes Ende :cry:

Gruß!

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hans23
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Re: Hallo zusammen...

Beitrag von hans23 » 05.12.2007, 19:40

st3f4n hat geschrieben: Die Schaltung ist leider nicht so ganz verpolsicher...
Einmal die Last invers betrieben und der Spaß hat ein stinkendes Ende :cry:

Gruß!
naja hast dann kein Spaß am Akku mehr. El. Last wird aber heile bleiben.
Man könnte ja ne dicke Diode in Reihe zum Ausgang schalten, dann würde der Akku heile bleiben^^

schimmi hat geschrieben:Eine Sache ist mir im Schaltplan noch aufgefallen: Die beiden Widerstände R19/20 sind eigentlich nur nötig, wenn für Q5/6 die TIP142 verwendet werden. Bei den MOSFET's würde ich diese weglassen.
Nö würd ich nicht machen. Auch MosFET's unterliegen ner gewissen Exemplarsteurung. Und wir wollen ja, dass sich der Strom über alle FETs gleichmäßig verteilt.
schimmi hat geschrieben:Für schnellere Pulse sollten vor den MOSFET's Q5/6 noch eine Bipolartreiberstufe geschaltet sein, sonst erreichst Du die Flankensteilheit bei den Parasitärkapazitäten der MOSFET's nicht.
Jop würd ich auch so machen. Is die frage ob man nicht fertige MOSFET Treiber nimmt. Sind dann vielleicht kompakter. Aber wahrscheinlich auch teurer. Und schwieriger zu beschaffen. Also ganz schnell verwerfen diese Idee ;-)
schimmi hat geschrieben:Wünschenswert wäre auch im R-Betrieb die Möglichkeit zwischen zwei oder mehrere Widerstandswerten umschalten zu können um beispielsweise das Last verhalten von Netzteilen testen zu können.
Naja ich denke mal das machen wir Stufenlos mit nem 2. D/A-Wandler (bzw. multiplexer mit sample & hold stufe). Müsste doch zu schaffen sein...

@Siegi:
R35, 36, 37 würd ich mit dem jeweiligen MosFET tauschen.
Man will ja nicht den RDSon von dem MosFET mit messen. Hat cm ja auch so gemacht.

Was willst du mit de npn-Transistoren (Q2-Q4) am Gate der Range-FETs bezwecken?

PS: Beim R-Betrieb bin ich auch für die analoge Veriante :-)
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Rainer
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Re: Hallo zusammen...

Beitrag von Rainer » 06.12.2007, 01:51

hans23 hat geschrieben: Naja ich denke mal das machen wir Stufenlos mit nem 2. D/A-Wandler (bzw. multiplexer mit sample & hold stufe). Müsste doch zu schaffen sein...
Das wird nicht nötig sein. Die Referenzspannung, welche im Konstant-Strom Betrieb für die Höhe des Stromes zuständig ist, ist im Widerstands Mode ebenfalls für den Widerstandswert zuständig.
Also je nach Betriebsart steuert der DA-Wandler entweder den Strom oder den Widerstandswert. :)

Ich werde heute im laufe des Tages mal die ziemlich einfache Schaltung der elektronischen Last aus der ELV 3/93 in Eagle nachbauen und hier online stellen. Dort ist das ganze mit relativ wenigen Bauteilen aber trotzdem vielen Funktionen gelöst worden.

Ciao,
Rainer

st3f4n
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Ein hoch auf ne Bipolarstufe!

Beitrag von st3f4n » 06.12.2007, 09:45

Am Gate sollte tatsächlich was anderes treiben...
Am einfachsten ein Emitterfolger vom Eingang an nen Pulldown/Gate ...
Auch wichtig zu beachten: Die meisten FETs mögen keine höhere GS-Spannung als 20V ... also tut da ne Zehnerdiode gute Dienste! ...
So manch ein FET ist auch schon wegen nem Transienten abgeraucht... bei mir zumindest :oops:

Gruß!

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schimmi
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Re: Hallo zusammen...

Beitrag von schimmi » 06.12.2007, 10:26

Hallo Hans23,
hans23 hat geschrieben:
schimmi hat geschrieben:Eine Sache ist mir im Schaltplan noch aufgefallen: Die beiden Widerstände R19/20 sind eigentlich nur nötig, wenn für Q5/6 die TIP142 verwendet werden. Bei den MOSFET's würde ich diese weglassen.
Nö würd ich nicht machen. Auch MosFET's unterliegen ner gewissen Exemplarsteurung. Und wir wollen ja, dass sich der Strom über alle FETs gleichmäßig verteilt.
das ist ja genau der Vorteil von MOSFET's. Diese kann man bedenkenlos parallel schalten um höhere Ströme zu erreichen da der Tk positiv ist, verteilt sich der Strom gleichmässig auf alle Transistoren. Siehe auch hier:
http://www.semikron.com/internet/webcms ... /3_7_1.pdf

Eine Diode in Reihen zum Eingang als Verpolschutz lehne ich kategorisch ab. Die ist viel zu nichtlinear. Wenn dann sollte eine Kombination aus Sicherung (Elektronische- oder Schmelzsicherung) in Verbindung mit einer Suppressordiode als Überspannungsschutz rein. Oder aber die Schaltung wird so ausgelegt, das die EL bei Verpolung oder Überlast abschaltet. Gerade beim Anschluss eines nicht kurzschlussfesten Akkus, könnte das sonst schnell ein Fall für die Elementarschadensversicherung werden... ;-)

Grüsse,
Schimmi

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hans23
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Beitrag von hans23 » 06.12.2007, 11:32

@Schimmi:
Hmm also keine Diode in Reihe. Man könnte ja wieder den Strom (diesmal andere Polarität) an dem Shunt überwachen und dann mit nem Relais abschalten, wenn er zu hoch wird. Aber durch das Relais würde das vermutlich viel zu lange dauern.
Eine Diode in Reihen zum Eingang als Verpolschutz lehne ich kategorisch ab. Die ist viel zu nichtlinear.
Meinste nicht, dass die Nichtlinearität zu vernachlässigen wäre, wenn man die Diode z.B. zwischen R35 und R19 schaltet?

______________________________________________________________
Um die Stromtragfähigkeit leistungselektronischer Schalter zu erhöhen, können IGBT- und
MOSFET-Module parallelgeschaltet werden.
Aber der MOSFET arbeitet hier nicht als Schalter.
Ich hab auch schon mal Versuche gemacht, und dabei mehrere MOSFETs parallel geschaltet. Dabei ist meistens immer einer sehr heiß geworden udn die anderen gar nicht. Hab dann mal nachgemessen und festgestellt, dass durch den heißen fast der gesamte Strom fließt.
Kann ja auch sein dass es je nach Typ mehr oder weniger Stark varriert. Ich hatte den IRF3710 verwendet.

Als Shunt
dienen hier die Sourcewiderstände der
FETs (R12 und R13). Da die FETs sehr
unterschiedlich ausfallen können,
haben sie relativ große Shuntwiderstände
von 1Ohm erhalten.
Das ist ein Auszug aus nem Elektor-Artikel von einem Netzteil mit MOSFETS als Längsregler


______________________________________________________________
st3f4n hat geschrieben:Am einfachsten ein Emitterfolger vom Eingang an nen Pulldown/Gate ...
Naja ich denke man braucht schon besser nen Push-Pull-Treiber..


Also man würde ja die Bereichs-FETs zum pulsen nehmen.
Aber wenn man da den FET-Treiber übelst "pimpt" und die dinger im 1µs-Takt ein- und ausschaltet - wer sagt denn dass die Stromregelung da überhaupt noch hinterher kommt? Da hat man doch dann mehr überschwinger als nen Gleichstrom. Von daher denk ich man könnte sich den FET-Treiber fast sparen und müsste sich mit ein bisschen längeren Schltzeiten zufrieden geben. Oder was meint ihr?


@Rainer:
Ok das war nen Schuss in den Ofen, gebe ich ja zu :D
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Beitrag von siegiathome » 06.12.2007, 11:36

Hallo zusammen,

wollte gerade mal die ganzen Punkte zusammenfassen und zur Duskussion stellen. Dann ist mir folgenedes dazwischengekommen :-)

http://www.heise.de/ct/foren/go.shtml?r ... _id=116199

Freut mich (und uns alle wahrscheinlich) natürlich ausserordentlich :-)

Ich bitte aber trotztem darum, die Diskussion deswegen nicht aufzugeben. Je mehr Vorschläge hier auftauchen, desto mehr kann die EL an die Bedürfnisse aller angepasst werden.

MfG
Siegi.

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Beitrag von hans23 » 06.12.2007, 12:37

Vielleicht könnte man in diesem Zuge ja cm überreden, das Layout mit SMD Bauteilen zu machen.
Vorrausgesetzt der Großteil der Interessenten/Forumsteilnehmer/C't-Lab-Träumer möchte das auch so.
Ich werd mal ein Voting anschmeißen...
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Beitrag von st3f4n » 06.12.2007, 15:57

:shock: Die FETs werden gepulst? ...
OHa ... muss mir bisher entgangen sein!
Ich dachte der Spaß basiert auf Linearreglern? :?:

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Beitrag von hans23 » 06.12.2007, 16:07

Naja wenn man ne Pulsförmige Belastung haben will, muss man sie ja wohl pulsen oder ;-)
Muss man aber nich, dafür gibt es ja die verschiedenen Modi.

Trotzdem is dat ein Linearregler..
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Beitrag von siegiathome » 06.12.2007, 17:03

Obwohl CM schon auch die offizielle EDL in Arbeit hat, hier die noch offenen Themen kurz im Überblick:

Lastverteilung
- Widerstände bleiben drin (v.a. beim Einsatz mit Transistoren)

Verpolungsschutz:
- Diode(n) wird auf alle Fälle vorgesehen (z.B. MBR20100CT)
- auch eine PolySwitch Sicherung
- Suppressordiode am Eingang sollte auch kein Problem sein
- keine Softwarelösung (zu langsam)

MOSFET Treiber:
- Teilnehmer sind sich noch nicht einig...

R-Betrieb
- DAC sollte sich 'multiplikativ' verhalten, nicht 'additiv'. Möglichkeit der Umschaltung zwischen fester Referenz und Nachführung der Referenz in Abhängigkeit von der Eingangsspannung (per Widerstandsteiler)

Schutzbeschaltung FETs
- die Treiber FETs erhalten eine Z-Diode am Gate


Wer bestimmte Bauteile (Dioden, Widerstände zur Lastverteilung, ...) nicht braucht, kann sie ja auch nicht bestücken.

MfG
siegiathome

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Elektronische Last aus ELV 3-93

Beitrag von Rainer » 07.12.2007, 15:41

Schön, daß die EL von cm mittlerweile auch so gut wie fertig ist.

Ich habe trotzdem noch mal die recht einfache Schaltung der EL aus ELV 3-93 abgezeichnet, damit man sich das Schaltungsprinzip dort auch noch mal anschauen kann. Es ist wirklich sehr simpel aber trotzdem gut. :)
Der rechte obere Teil ist für die Temperaturabschaltung zuständig und würde in unserem Fall wohl komplett wegfallen, da er durch einen LM75 ersetzt werden würde. Der linke untere Teil ist für die Frequenzgenerierung zuständig und würde ebenfalls wegfallen, da diese vom Atmega generiert werden würde.

Ich hatte mir damals diese EL nachgebaut und sie ist auch heute noch in Betrieb.

Ciao,
Rainer

PS: Schön das Dateianhänge jetzt gehen. :)
Dateianhänge
ELV3-93.pdf
Einfache elektronische Last aus ELV 3/93
(68.14 KiB) 227-mal heruntergeladen
Zuletzt geändert von Rainer am 07.12.2007, 21:30, insgesamt 2-mal geändert.

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Beitrag von schimmi » 07.12.2007, 15:55

Hallo Rainer,
Ich wollte die Datei an diesen Beitrag anhängen, aber leider habe ich keine Funktion dafür gefunden, obwohl ganz unten im Forum steht, daß man Dateien im Forum hochladen darf.
ich habe auch noch nicht gefunden, wo ich Dateien hochladen kann. Steht aber rechts unten, das ich dazu berechtigt bin. Das schein wohl noch ein Bug im Forum zu sein...

Grüsse,
Schimmi

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Beitrag von thoralt » 07.12.2007, 19:08

schimmi hat geschrieben:
Ich wollte die Datei an diesen Beitrag anhängen, aber leider habe ich keine Funktion dafür gefunden, obwohl ganz unten im Forum steht, daß man Dateien im Forum hochladen darf.
ich habe auch noch nicht gefunden, wo ich Dateien hochladen kann. Steht aber rechts unten, das ich dazu berechtigt bin. Das schein wohl noch ein Bug im Forum zu sein...
Das wurde eben schon im Administrationsbereich diskutiert. Lösung: Stellt euer Layout bitte in eurem Profil auf "FI Subice" um. Das ist das neue Layout, welches ich vor einigen Tagen eigentlich für alle vorgegeben hatte. Das alte Standart-Layout hat nicht alle Funktionen, da besonders das Einbauen von "Hochladen von Anhängen" eine sehr aufwendige Angelegenheit ist und ich nicht die Energie habe, das für das "alte" Layout nocheinmal zu machen.

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